Beschreibung

Produkteinführung

Unsere N-Typ-PV-Module werden auf einem monokristallinen Siliziumsubstrat vom Typ n gefertigt und verfügen über eine PERC-Architektur (Passivated Emitter Rear Cell), die durch fortschrittliche Antireflexbeschichtungen ergänzt wird. Durch die Verwendung eines elektronenreichen n-Typ-Siliziumwafers anstelle des herkömmlichen p-Typ-Siliziumwafers schaffen wir Solarzellen mit höherem Spannungspotenzial und Umwandlungswirkungsgraden von über 22 %.

Unsere N-Typ-PV-Module integrieren diese optimierten N-Typ-Siliziumzellen mit branchenführenden intelligenten Modulinnovationen. Eingebettete Sensoren überwachen aktiv die Systemleistung, während duale Leistungsoptimierer den letzten Tropfen verfügbarer Energie extrahieren. Robuste Rahmen in Marinequalität, IP68-Gehäuse und strenge Testverfahren gewährleisten einen dauerhaften und zuverlässigen Betrieb über 30 Jahre. Weltweite Feldeinsätze bestätigen die Überlegenheit unserer N-Typ-Module gegenüber herkömmlichen p-Typ-Systemen.

Zertifizierte hohe Bifazialitätsfaktoren, ausgezeichnetes Verhalten bei schwachem Licht, überlegene Hot-Spot-Resilienz und über 30 % geringere Degradationsraten zeigen die realen Vorteile, die unsere n-Typ-Module für eine langfristige Energieausbeute bieten. Mit praxiserprobter Leistungsdichte, Effizienz-, Sicherheits- und Lebensdauervorteile: Unsere N-Typ-PV-Module stellen den Goldstandard der Branche dar und machen Solarenergie rentabler und zugänglicher als je zuvor. Nutzen Sie das volle Potenzial Ihrer Photovoltaikanlagen mit unserer hochmodernen N-Typ-Technologie, die neue Solarstandards setzt.

Solarzellen	Monokristallin
Anzahl der Zellen	132 Zellen
Modulabmessungen	2384×1303×33 mm
Gewicht	38,3 kg (84,4 Pfund)
Glas	2,0 mm (0,08 Zoll) hohe Transmission. AR-beschichtetes wärmegehärtetes Glas
Einkapselungsmaterial	EVA/POE
Rahmen	30 mm (1,18 Zoll) eloxierte Aluminiumlegierung
J-Box	Schutzart IP 68
Kabel	Photovoltaik-Technikkabel 4,0mm²(0.006 Zoll²), Hochformat: 350/280 mm (13,78/11,02 Zoll) Länge kann individuell angepasst werden
Verbinder	MC4 EVO2 / TS4 PLUS / TS4*

Produktdetails

Vertex N-NEG21C.20-675W-700W description

Mechanische Parameter

Vertex N-NEG21C.20-675W-700W parameter

Hauptmerkmale

Beispiellose Leistungskennzahlen
Diese bahnbrechenden n-Typ-Module durchbrechen bestehende Effizienzgrenzen dank neu entwickelter Zellarchitekturen, die jedes einzelne Photon in gezielte Energie umwandeln. Wir erzielen reale Panelausbeuten, die mit den anspruchsvollsten Laborprototypen mithalten können.

Überzeugende Zuverlässigkeitsgarantien
Mit einer robusten Komponentenauswahl, strengen AQT-Stresstests und vorausschauenden Analysen, die das Design beeinflussen, haben wir den bankfähigsten Energiegenerator der Branche entwickelt – bereit, über 30 Jahre lang ununterbrochen Solargewinne zu erzielen.

Verkörperte Intelligenz
Unser bahnbrechendes intelligentes Modulkonzept integriert Umgebungssensoren, Sicherheitssysteme und duale Leistungsoptimierer in jedes Panel für eine szenenadaptive Energiegewinnung, die auf die Netz- oder Anwendungsanforderungen abgestimmt ist. Willkommen in der selbstbewussten Zukunft der Solaranlage.

Kristalline Verfeinerung perfektioniert
Unsere monokristallinen Zellen nutzen hochreines n-Typ-Silizium und über Jahrzehnte verfeinerte Präzisionsdotierungstechniken und zeigen die theoretischen Grenzen der Photovoltaik-Umwandlung in greifbare Panel-Wattleistungen auf, die noch nie zuvor möglich waren.

Produktzertifikate

Trina vertex S certificates

Produktverpackung

Vertex S solar panel packaging

Fertigungsprozess

Trina Vertex S production process

Häufig gestellte Fragen

F: Was sind die Unterschiede zwischen N-Typ- und P-Typ-Silizium?
A: N-Typ- und p-Typ-Silizium sind zwei verschiedene Arten von Halbleitermaterialien. Silizium vom N-Typ hat eine höhere Elektronenkonzentration als Silizium vom p-Typ, was bedeutet, dass mehr freie Elektronen zum Leiten von Elektrizität zur Verfügung stehen. Dieser Unterschied in der Elektronenkonzentration führt zu einer Reihe von Vorteilen für N-Typ-PV-Module, wie im vorherigen Abschnitt erwähnt.

F: Wie werden N-Typ-PV-Module hergestellt?
A: N-Typ-PV-Module werden nach einem Verfahren hergestellt, das dem Verfahren zur Herstellung von p-Typ-PV-Modulen ähnelt. Es gibt jedoch einige wesentliche Unterschiede. Erstens müssen die Siliziumwafer, die zur Herstellung von N-Typ-Modulen verwendet werden, mit n-Typ-Verunreinigungen wie Phosphor oder Arsen dotiert werden. Zweitens muss der Metallisierungsprozess zur Herstellung der elektrischen Kontakte auf den Modulen so gestaltet sein, dass er den unterschiedlichen elektrischen Eigenschaften von N-Typ-Silizium Rechnung trägt.

F: Wie sind die Zukunftsaussichten für N-Typ-PV-Module?
A: N-Typ-PV-Module sind eine vielversprechende neue Technologie, die das Potenzial hat, die Effizienz, Lebensdauer und Kosteneffizienz der Solarenergie zu verbessern. Da die Technologie weiter ausgereift ist, dürften N-Typ-Module eine größere Verbreitung finden.

F: Vor welchen Herausforderungen stehen N-Typ-PV-Module?
A: Eine der größten Herausforderungen für N-Typ-PV-Module sind die höheren Herstellungskosten. Dies ist auf die zusätzlichen Schritte zurückzuführen, die zur Dotierung der Siliziumwafer und zur Gestaltung des Metallisierungsprozesses erforderlich sind. Eine weitere Herausforderung ist der Mangel an Langzeitdaten zur Leistung und Zuverlässigkeit von N-Typ-Modulen. Je mehr Daten verfügbar werden, desto wahrscheinlicher werden diese Herausforderungen angegangen.

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